Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > RJU002N06T106
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1239707RJU002N06T106-kuvaLAPIS Semiconductor

RJU002N06T106

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.54
10+
$0.379
100+
$0.249
500+
$0.147
1000+
$0.113
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    RJU002N06T106
  • Valmistaja / merkki
    LAPIS Technology
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    RJU002N06T106.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    UMT3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    200mW (Ta)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    SC-70, SOT-323
  • Muut nimet
    RJU002N06T106DKR
  • Käyttölämpötila
    150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    18pF @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "RJU002N06T106" -tuotteita.
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Kuvaus: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

Kuvaus: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

Kuvaus: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Kuvaus: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Kuvaus: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RJU003N03T106

RJU003N03T106

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

Kuvaus: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

Kuvaus: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.