Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > RQ3E130BNTB
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6017082

RQ3E130BNTB

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.50
10+
$0.422
100+
$0.316
500+
$0.232
1000+
$0.179
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    RQ3E130BNTB
  • Valmistaja / merkki
    LAPIS Technology
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1.RQ3E130BNTB.pdf
    2.RQ3E130BNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-HSMT (3.2x3)
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 13A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2W (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-PowerVDFN
  • Muut nimet
    RQ3E130BNTBCT
  • Käyttölämpötila
    150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    40 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1900pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "RQ3E130BNTB" -tuotteita.
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Kuvaus: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.