Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > RS1G300GNTB

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5539371

RS1G300GNTB-kuva

LAPIS Semiconductor

RS1G300GNTB

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$0.916

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RS1G300GNTB
Valmistaja / merkki

LAPIS Technology
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

1.RS1G300GNTB.pdf
2.RS1G300GNTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

8-HSOP
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3W (Ta), 35W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-PowerTDFN
Muut nimet

RS1G300GNTBTR
Käyttölämpötila

150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

40 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

4230pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56.8nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

40V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 40V 30A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

30A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

laivaus

Maksu

Seuraava on "RS1G300GNTB" -tuotteita.

RS1G-E3/61T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RS1GHE3/5AT

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RS1GB-13-F

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

RS1GFSHMXG

Kuvaus: DIODE, FAST, 1A, 400V

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)

Varastossa

RS1G-M3/61T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RS1GHE3_A/H

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RS1G150MNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RS1G-M3/5AT

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RS1GB-13

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

RS1GFA

Kuvaus: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

RS1G-13-F

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

RS1G260MNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RS1G120MNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RS1GFS MXG

Kuvaus: DIODE, FAST, 1A, 400V

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)

Varastossa

RS1GFS MWG

Kuvaus: DIODE

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)

Varastossa

RS1GFSHMWG

Kuvaus: DIODE

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)

Varastossa

RS1G/1

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RS1G-E3/5AT

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RS1G180MNTB

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RS1GHE3/61T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.