1N5806TR

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

1N5806TR
Valmistaja / merkki

Microsemi
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

1N5806TR.pdf
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos

875mV @ 1A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)

150V
Toimittaja Device Package

A-PAK
Nopeus

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja

-
Käänteinen Recovery Time (TRR)

25ns
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

A, Axial
Muut nimet

1N5806
1N5806E3
1N5806E3TR
1N5806E3TR-ND
1N5806TR-ND
1N5806TRTR
Käyttölämpötila - liitäntä

-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi

Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
diodi Tyyppi

Standard
Yksityiskohtainen kuvaus

Diode Standard 150V 2.5A Through Hole A-PAK
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr

1µA @ 150V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)

2.5A
Kapasitanssi @ Vr, F

-
Perusosan osanumero

1N5806

Seuraava on "1N5806TR" -tuotteita.

1N5807US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 6A

valmistajat: Semtech

Varastossa

RFQ

1N5802

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5802US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5802US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

valmistajat: Semtech

Varastossa

RFQ

1N5809US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5807

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5806C.TR

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

valmistajat: Semtech

Varastossa

RFQ

1N5807

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

valmistajat: Semtech

Varastossa

RFQ

1N5808

Kuvaus: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5804US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

valmistajat: Semtech

Varastossa

RFQ

1N5804US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5805

Kuvaus: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5809

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5809

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

valmistajat: Semtech

Varastossa

RFQ

1N5804

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

valmistajat: Semtech

Varastossa

RFQ

1N5806US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

valmistajat: Semtech

Varastossa

RFQ

1N5804

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5806US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5803

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

1N5807US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

valmistajat: Microsemi

Varastossa

RFQ

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Ennakkorekisteröinti

1N5806TR

Pyydä tarjous

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

1N5807US

1N5802

1N5802US

1N5802US

1N5809US

1N5807

1N5806C.TR

1N5807

1N5808

1N5804US

1N5804US

1N5805

1N5809

1N5809

1N5804

1N5806US

1N5804

1N5806US

1N5803

1N5807US

Valitse kieli

Nykyinen kieli