Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - IGBTs - Single > APT11GP60BDQBG
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1658105APT11GP60BDQBG-kuvaMicrosemi

APT11GP60BDQBG

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    APT11GP60BDQBG
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    IGBT 600V 41A 187W TO247
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    APT11GP60BDQBG.pdf
  • ECAD -malli
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    600V
  • Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 11A
  • Testaa kunto
    400V, 11A, 5 Ohm, 15V
  • Td (päällä / pois) @ 25 ° C
    7ns/29ns
  • Switching Energy
    46µJ (on), 90µJ (off)
  • Toimittaja Device Package
    TO-247-3
  • Sarja
    POWER MOS 7®
  • Virta - Max
    187W
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-247-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Syötetyyppi
    Standard
  • IGBT Tyyppi
    PT
  • Gate Charge
    40nC
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
  • Nykyinen - Collector Pulssi (ICM)
    45A
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    41A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "APT11GP60BDQBG" -tuotteita.
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Kuvaus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Kuvaus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Kuvaus: IGBT 1200V 25A 156W TO247

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Kuvaus: IGBT 1200V 25A 156W TO220

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.