Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > JAN1N5550US
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3922908

JAN1N5550US

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
100+
$13.707
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N5550US
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    JAN1N5550US.pdf
  • Jännite - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    3A
  • Jännite - Breakdown
    D-5B
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • RoHS-tila
    Bulk
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistance @ Jos F
    -
  • Polarisaatio
    SQ-MELF, B
  • Muut nimet
    1086-19411
    1086-19411-MIL
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    2µs
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    8 Weeks
  • Valmistajan osanumero
    JAN1N5550US
  • Laajennettu kuvaus
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
  • diodikonfiguraatiolla
    1µA @ 200V
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    1.2V @ 9A
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode)
    200V
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N5550US" -tuotteita.
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Kuvaus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Kuvaus: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Kuvaus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5545D-1

JAN1N5545D-1

Kuvaus: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Kuvaus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5545CUR-1

JAN1N5545CUR-1

Kuvaus: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Kuvaus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Kuvaus: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5545DUR-1

JAN1N5545DUR-1

Kuvaus: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Kuvaus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

Kuvaus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.