Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Piirin suojaus > TVS - Diodit > JAN1N5612
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1157662

JAN1N5612

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N5612
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    JAN1N5612.pdf
  • ECAD -malli
  • Jännite - Käänteinen Standoff (Typ)
    49V
  • Jännite - kiristys (maksimi) @ Ipp
    78.5V
  • Jännite - erittely (min)
    54V
  • Yksisuuntaiset kanavat
    1
  • Tyyppi
    Zener
  • Toimittaja Device Package
    G, Axial
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/434
  • Power Line Protection
    No
  • Teho - huippukulma
    1500W (1.5kW)
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    G, Axial
  • Muut nimet
    1086-15770
    1086-15770-MIL
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Nykyinen - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    19A
  • Kapasitanssi @ Taajuus
    -
  • Sovellukset
    General Purpose

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N5612" -tuotteita.
JAN1N5558

JAN1N5558

Kuvaus: TVS DIODE 175V 265V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Kuvaus: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Kuvaus: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Kuvaus: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Kuvaus: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.