Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > JAN1N5619US
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6518421

JAN1N5619US

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
100+
$11.594
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N5619US
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    JAN1N5619US.pdf
  • ECAD -malli
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    1.6V @ 3A
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    600V
  • Toimittaja Device Package
    D-5A
  • Nopeus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    250ns
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    SQ-MELF, A
  • Muut nimet
    1086-19421
    1086-19421-MIL
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    -65°C ~ 175°C
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    8 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    500nA @ 600V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    1A
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    25pF @ 12V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N5619US" -tuotteita.
JAN1N5617

JAN1N5617

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Kuvaus: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Kuvaus: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.