Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Piirin suojaus > TVS - Diodit > JAN1N5655A
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6431118

JAN1N5655A

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N5655A
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TVS DIODE 70.1V 113V DO13
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    JAN1N5655A.pdf
  • Jännite - Käänteinen Standoff (Typ)
    70.1V
  • Jännite - kiristys (maksimi) @ Ipp
    113V
  • Jännite - erittely (min)
    77.9V
  • Yksisuuntaiset kanavat
    1
  • Tyyppi
    Zener
  • Toimittaja Device Package
    DO-13 (DO-202AA)
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Power Line Protection
    No
  • Teho - huippukulma
    1500W (1.5kW)
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    DO-13
  • Muut nimet
    1086-15821
    1086-15821-MIL
  • Käyttölämpötila
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Nykyinen - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    13.3A
  • Kapasitanssi @ Taajuus
    -
  • Sovellukset
    General Purpose

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N5655A" -tuotteita.
JAN1N5772

JAN1N5772

Kuvaus: TVS DIODE 10CFLATPACK

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Kuvaus: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Kuvaus: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Kuvaus: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Kuvaus: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Kuvaus: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Kuvaus: TVS DIODE 111V 179V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Kuvaus: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Kuvaus: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Kuvaus: TVS DIODE 53V 85V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Kuvaus: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Kuvaus: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.