Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > JAN1N649-1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1601822

JAN1N649-1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N649-1
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    JAN1N649-1.pdf
  • Jännite - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    400mA
  • Jännite - Breakdown
    DO-35
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • RoHS-tila
    Bulk
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistance @ Jos F
    -
  • Polarisaatio
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Muut nimet
    1086-15995
    1086-15995-MIL
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan osanumero
    JAN1N649-1
  • Laajennettu kuvaus
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • diodikonfiguraatiolla
    50nA @ 600V
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    1V @ 400mA
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode)
    600V
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N649-1" -tuotteita.
JAN1N6621

JAN1N6621

Kuvaus: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Kuvaus: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Kuvaus: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Kuvaus: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Kuvaus: TVS DIODE 14CDIP

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Kuvaus: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Kuvaus: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Kuvaus: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Kuvaus: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Kuvaus: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Kuvaus: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Kuvaus: TVS DIODE 14CDIP

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Kuvaus: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Kuvaus: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Kuvaus: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Kuvaus: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.