Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > JANTXV1N5623US
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6832070

JANTXV1N5623US

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
102+
$18.513
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JANTXV1N5623US
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    JANTXV1N5623US.pdf
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    1.6V @ 3A
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    1000V
  • Toimittaja Device Package
    D-5A
  • Nopeus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    500ns
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    SQ-MELF, A
  • Muut nimet
    1086-19428
    1086-19428-MIL
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    -65°C ~ 175°C
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    14 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    500nA @ 1000V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    1A
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    15pF @ 12V, 1MHz

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JANTXV1N5623US" -tuotteita.
JANTXV1N5639A

JANTXV1N5639A

Kuvaus: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5623

JANTXV1N5623

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5619

JANTXV1N5619

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5622US

JANTXV1N5622US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5619US

JANTXV1N5619US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5646A

JANTXV1N5646A

Kuvaus: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5642A

JANTXV1N5642A

Kuvaus: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5621

JANTXV1N5621

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5644A

JANTXV1N5644A

Kuvaus: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5645A

JANTXV1N5645A

Kuvaus: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5632A

JANTXV1N5632A

Kuvaus: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5630A

JANTXV1N5630A

Kuvaus: TVS DIODE 6.4V 11.3V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5618US

JANTXV1N5618US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5638A

JANTXV1N5638A

Kuvaus: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5621US

JANTXV1N5621US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5622

JANTXV1N5622

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5620

JANTXV1N5620

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5641A

JANTXV1N5641A

Kuvaus: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5618

JANTXV1N5618

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JANTXV1N5637A

JANTXV1N5637A

Kuvaus: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.