Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Piirin suojaus > TVS - Diodit > MAP6KE30CAE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4705478

MAP6KE30CAE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    MAP6KE30CAE3
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    MAP6KE30CAE3.pdf
  • Jännite - Käänteinen Standoff (Typ)
    25.6V
  • Jännite - kiristys (maksimi) @ Ipp
    41.4V
  • Jännite - erittely (min)
    28.5V
  • Tyyppi
    Zener
  • Toimittaja Device Package
    T-18
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500
  • Power Line Protection
    No
  • Teho - huippukulma
    600W
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    T-18, Axial
  • Muut nimet
    1086-4556
    1086-4556-MIL
  • Käyttölämpötila
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Nykyinen - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    14.4A
  • Kapasitanssi @ Taajuus
    -
  • Kaksisuuntaiset kanavat
    1
  • Sovellukset
    General Purpose

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "MAP6KE30CAE3" -tuotteita.
MAP6KE36CAE3

MAP6KE36CAE3

Kuvaus: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE36CA

MAP6KE36CA

Kuvaus: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE27A

MAP6KE27A

Kuvaus: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE24AE3

MAP6KE24AE3

Kuvaus: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE36A

MAP6KE36A

Kuvaus: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE27CAE3

MAP6KE27CAE3

Kuvaus: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

Kuvaus: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE24CAE3

MAP6KE24CAE3

Kuvaus: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE36AE3

MAP6KE36AE3

Kuvaus: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE27CA

MAP6KE27CA

Kuvaus: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE30A

MAP6KE30A

Kuvaus: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE27AE3

MAP6KE27AE3

Kuvaus: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE33CA

MAP6KE33CA

Kuvaus: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE33A

MAP6KE33A

Kuvaus: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE33AE3

MAP6KE33AE3

Kuvaus: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE39AE3

MAP6KE39AE3

Kuvaus: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

Kuvaus: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE30AE3

MAP6KE30AE3

Kuvaus: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE39A

MAP6KE39A

Kuvaus: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
MAP6KE24CA

MAP6KE24CA

Kuvaus: TVS DIODE 20.5V 33.2V T-18

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.