Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaarinen (BJT) - ristikot, esia > DMG563H10R

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5285922

DMG563H10R-kuva

Panasonic

DMG563H10R

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.132

6000+

$0.124

15000+

$0.116

30000+

$0.106

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMG563H10R
Valmistaja / merkki

Panasonic
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMG563H10R.pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package

SMini5-F3-B
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

47 kOhms, 10 kOhms
Vastus - pohja (R1)

47 kOhms, 4.7 kOhms
Virta - Max

150mW
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Muut nimet

DMG563H10R-ND
DMG563H10RTR
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

11 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen

-
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA
Perusosan osanumero

DMG563

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMG563H10R" -tuotteita.

DMG563H40R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG564H20R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG504010R

Kuvaus: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG5640N0R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG564050R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG563010R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG4932LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG564060R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG4N60SK3-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG564030R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Kuvaus: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG564040R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG4N65CT

DMG4N65CT

Kuvaus: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Kuvaus: MOSFET NCH 600V 3A TO251

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG564H30R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG564010R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG563H50R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG563020R

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

valmistajat: Panasonic

Varastossa

DMG4822SSDQ-13

Kuvaus: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.