Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > 1N5401G B0G
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
57725131N5401G B0G-kuvaTSC (Taiwan Semiconductor)

1N5401G B0G

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
14000+
$0.075
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    1N5401G B0G
  • Valmistaja / merkki
    Taiwan Semiconductor
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1N5401G B0G.pdf
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    1.1V @ 3A
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    100V
  • Toimittaja Device Package
    DO-201AD
  • Nopeus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sarja
    -
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    DO-201AD, Axial
  • Muut nimet
    1N5401G B0G-ND
    1N5401GB0G
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    -55°C ~ 150°C
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    12 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 100V 3A Through Hole DO-201AD
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    5µA @ 100V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    3A
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "1N5401G B0G" -tuotteita.
1N5402

1N5402

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

valmistajat: Fairchild/ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N5401RL

1N5401RL

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N5401GP-TP

1N5401GP-TP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
1N5402

1N5402

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

valmistajat: ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N5401-E3/54

1N5401-E3/54

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N5401GHA0G

1N5401GHA0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N5401/54

1N5401/54

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N5401-TP

1N5401-TP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
1N5401-E3/73

1N5401-E3/73

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
1N5401-B

1N5401-B

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N5401

1N5401

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

valmistajat: ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N5401GHB0G

1N5401GHB0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N5401-G

1N5401-G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Comchip Technology
Varastossa
RFQ
1N5401

1N5401

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Fairchild/ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N5401GHR0G

1N5401GHR0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
1N5401RLG

1N5401RLG

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
1N5401-T

1N5401-T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N5401G-T

1N5401G-T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
1N5401TA

1N5401TA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

valmistajat: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Varastossa
RFQ
1N5401G

1N5401G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.