Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Integroituneet piirit (ICS) > Muisti > TC58NYG0S3HBAI6
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2334808TC58NYG0S3HBAI6-kuvaToshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$3.21
10+
$2.885
25+
$2.84
50+
$2.832
100+
$2.53
338+
$2.448
676+
$2.439
1014+
$2.272
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    TC58NYG0S3HBAI6
  • Valmistaja / merkki
    Kioxia America, Inc.
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • ECAD -malli
  • Kirjoita työkiertoaika - sana, sivu
    25ns
  • Jännite - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • teknologia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Toimittaja Device Package
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Sarja
    -
  • Pakkaus
    Tray
  • Pakkaus / Case
    67-VFBGA
  • Muut nimet
    TC58NYG0S3HBAI6JAH
    TC58NYG0S3HBAI6JDH
  • Käyttölämpötila
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    3 (168 Hours)
  • muistin tyyppi
    Non-Volatile
  • muistin koko
    1Gb (128M x 8)
  • Muistipiiri
    Parallel
  • Muistimuoto
    FLASH
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Access Time
    25ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "TC58NYG0S3HBAI6" -tuotteita.
TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

Kuvaus: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NVG3S0FTA00

TC58NVG3S0FTA00

Kuvaus: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

Kuvaus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

Kuvaus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

Kuvaus: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC59

TC59

Kuvaus: CAP ALUM 50UF 250V AXIAL

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
TC594

TC594

Kuvaus: CAP ALUM 200UF 300V AXIAL

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4

Kuvaus: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC593

TC593

Kuvaus: CAP ALUM 150UF 300V AXIAL

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics
Varastossa
RFQ
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

Kuvaus: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC59000001

TC59000001

Kuvaus: OSC MEMS 59MHZ 3.3V SMD

valmistajat: TXC Corporation
Varastossa
RFQ
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Kuvaus: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

Kuvaus: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Kuvaus: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

Kuvaus: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6

Kuvaus: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC593002ECBTR

TC593002ECBTR

Kuvaus: IC REG LINEAR -3V 80MA SOT23-3

valmistajat: Micrel / Microchip Technology
Varastossa
RFQ
TC595002ECBTR

TC595002ECBTR

Kuvaus: IC REG LINEAR -5V 100MA SOT23-3

valmistajat: Micrel / Microchip Technology
Varastossa
RFQ
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

Kuvaus: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4

Kuvaus: 2G NAND SLC 24NM BGA

valmistajat: Toshiba Memory America, Inc.
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.