Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > RN1106MFV,L3F

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4268777

RN1106MFV,L3F-kuva

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

8000+

$0.027

16000+

$0.023

24000+

$0.021

56000+

$0.018

200000+

$0.015

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RN1106MFV,L3F
Valmistaja / merkki

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS PREBIAS NPN
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

RN1106MFV,L3F.pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
transistori tyyppi

NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package

VESM
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

47 kOhms
Vastus - pohja (R1)

4.7 kOhms
Virta - Max

150mW
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

SOT-723
Muut nimet

RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3F-ND
RN1106MFVL3FTR
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "RN1106MFV,L3F" -tuotteita.

RN1108CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1106,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1104T5LFT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1105MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1109CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1107,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1106CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1105CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1104MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1105,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1109,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1107CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.