Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > RN1424TE85LF

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3054870

RN1424TE85LF

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.095

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RN1424TE85LF
Valmistaja / merkki

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

RN1424TE85LF.pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 50mA
transistori tyyppi

NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package

S-Mini
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

10 kOhms
Vastus - pohja (R1)

10 kOhms
Virta - Max

200mW
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet

RN1424(TE85L,F)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

11 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen

300MHz
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 100mA, 1V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max)

800mA
Perusosan osanumero

RN142*

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "RN1424TE85LF" -tuotteita.

RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN142-4-02-3M3

Kuvaus: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN142-2-02-6M8

Kuvaus: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN142VTE-17

Kuvaus: DIODE PIN 60V UMD

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN142-6-02-1M8

Kuvaus: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN142-2-02

Kuvaus: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN142-6-02

Kuvaus: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN142GT2R

Kuvaus: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RN142ZST2R

Kuvaus: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN143-0.5-02

Kuvaus: CMC 100MH 500MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN142ZS12ATE61

Kuvaus: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RN142ZS8ATE61

Kuvaus: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RN142STE61

Kuvaus: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN142-4-02

Kuvaus: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Kuvaus: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.