Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaarinen (BJT) - ristikot, esia > RN1907FE,LF(CB

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4821043

RN1907FE,LF(CB-kuva

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907FE,LF(CB

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

4000+

$0.048

8000+

$0.042

12000+

$0.036

28000+

$0.034

100000+

$0.028

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RN1907FE,LF(CB
Valmistaja / merkki

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

RN1907FE,LF(CB.pdf
ECAD -malli
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package

ES6
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

47 kOhms
Vastus - pohja (R1)

10 kOhms
Virta - Max

100mW
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

SOT-563, SOT-666
Muut nimet

RN1907FE(T5L,F,T)
RN1907FE(T5LFT)TR
RN1907FE(T5LFT)TR-ND
RN1907FE,LF(CT
RN1907FELF(CBTR
RN1907FELF(CTTR
RN1907FELF(CTTR-ND
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen

250MHz
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "RN1907FE,LF(CB" -tuotteita.

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1907,LF(CT

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1905,LF(CT

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1905FE,LF(CB

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1905,LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1910,LF(CT

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1907,LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1906,LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1906,LF(CT

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1911FETE85LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1910FE,LF(CT

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1906FE,LF(CT

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.