Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaarinen (BJT) - ristikot, esia > RN1962TE85LF

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

6788774

RN1962TE85LF-kuva

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1962TE85LF

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$0.22

10+

$0.203

25+

$0.146

100+

$0.114

250+

$0.071

500+

$0.061

1000+

$0.041

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RN1962TE85LF
Valmistaja / merkki

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

RN1962TE85LF.pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package

US6
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

10 kOhms
Vastus - pohja (R1)

10 kOhms
Virta - Max

500mW
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet

RN1962TE85LFCT
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen

250MHz
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 500mW Surface Mount US6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "RN1962TE85LF" -tuotteita.

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1910FE,LF(CT

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1964TE85LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1911FETE85LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1910,LF(CT

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1968(TE85L,F)

RN1968(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.