Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaarinen (BJT) - ristikot, esia > RN2909FE(TE85L,F)

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2326874

RN2909FE(TE85L,F)-kuva

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909FE(TE85L,F)

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RN2909FE(TE85L,F)
Valmistaja / merkki

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

RN2909FE(TE85L,F).pdf
ECAD -malli
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package

ES6
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

22 kOhms
Vastus - pohja (R1)

47 kOhms
Virta - Max

100mW
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

SOT-563, SOT-666
Muut nimet

RN2909FE(TE85LF)CT
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen

200MHz
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "RN2909FE(TE85L,F)" -tuotteita.

RN2961FE(TE85L,F)

RN2961FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2961(TE85L,F)

RN2961(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2908(T5L,F,T)

RN2908(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2906,LF

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2911,LF

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2962FE(TE85L,F)

RN2962FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2906(T5L,F,T)

RN2906(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2906FE(TE85L,F)

RN2906FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2905FE,LF(CB

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2962(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2907(T5L,F,T)

RN2907(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2909(T5L,F,T)

RN2909(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2910FE,LF(CB

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2911(T5L,F,T)

RN2911(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2963(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2905T5LFT

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN2907FE,LF(CB

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.