Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > TJ80S04M3L(T6L1,NQ
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3641650

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2000+
$1.009
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1.TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf
    2.TJ80S04M3L(T6L1,NQ.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +10V, -20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    DPAK+
  • Sarja
    U-MOSVI
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 40A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    100W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    TJ80S04M3L(T6L1NQ
    TJ80S04M3LT6L1NQ
  • Käyttölämpötila
    175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    7770pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    158nC @ 10V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    40V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 40V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    80A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "TJ80S04M3L(T6L1,NQ" -tuotteita.
BSH111,235

BSH111,235

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23

valmistajat: Nexperia
Varastossa
RFQ
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
NTMFS4925NT3G

NTMFS4925NT3G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 48A SO-8FL

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
AO4456

AO4456

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

valmistajat: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Varastossa
RFQ
IRL2203STRR

IRL2203STRR

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
IXFT320N10T2

IXFT320N10T2

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
IRFB4410ZGPBF

IRFB4410ZGPBF

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
NP40N10VDF-E2-AY

NP40N10VDF-E2-AY

Kuvaus: TRANSISTOR

valmistajat: Renesas Electronics America
Varastossa
RFQ
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IRFP3703PBF

IRFP3703PBF

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BXL4004-1E

BXL4004-1E

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
2SK4116LS

2SK4116LS

Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 12A TO-220FI

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
SI7430DP-T1-E3

SI7430DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI3483DV-T1-E3

SI3483DV-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
NTD20N03L27-001

NTD20N03L27-001

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
SPB80P06P

SPB80P06P

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N03S2L10ATMA1

IPD30N03S2L10ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.