Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > TK31N60W,S1VF
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5014224TK31N60W,S1VF-kuvaToshiba Semiconductor and Storage

TK31N60W,S1VF

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$9.72
30+
$7.968
120+
$7.191
510+
$6.025
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    TK31N60W,S1VF
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    TK31N60W,S1VF.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 1.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-247
  • Sarja
    DTMOSIV
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    88 mOhm @ 15.4A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    230W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-247-3
  • Muut nimet
    TK31N60W,S1VF(S
    TK31N60WS1VF
  • Käyttölämpötila
    150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 300V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    Super Junction
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    600V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    30.8A (Ta)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "TK31N60W,S1VF" -tuotteita.
TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Kuvaus: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK3

TK3

Kuvaus: TERMINAL KIT P184 10EA T49

valmistajat: Vector Electronics & Technology, Inc.
Varastossa
RFQ
TK30A06N1,S4X

TK30A06N1,S4X

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

Kuvaus: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK31A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Kuvaus: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

Kuvaus: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK3434

TK3434

Kuvaus: HOME TAPE KIT - PREMIUM

valmistajat: 3M
Varastossa
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK31E60X,S1X

TK31E60X,S1X

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

Kuvaus: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Kuvaus: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.