Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > TPC8018-H(TE12LQM)
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5747184

TPC8018-H(TE12LQM)

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    TPC8018-H(TE12LQM)
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1.TPC8018-H(TE12LQM).pdf
    2.TPC8018-H(TE12LQM).pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 9A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Käyttölämpötila
    150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2265pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    18A (Ta)

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "TPC8018-H(TE12LQM)" -tuotteita.
TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3_A/I

Kuvaus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8.2HM3/86A

TPC8.2HM3/86A

Kuvaus: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

valmistajat: Vishay Semiconductor Diodes Division
Varastossa
RFQ
TPC7.5HM3/87A

TPC7.5HM3/87A

Kuvaus: TVS DIODE 6.05V 11.7V TO277A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC7.5HM3/86A

TPC7.5HM3/86A

Kuvaus: TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC SMPC

valmistajat: Vishay Semiconductor Diodes Division
Varastossa
RFQ
TPC8.2AHM3/86A

TPC8.2AHM3/86A

Kuvaus: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

valmistajat: Vishay Semiconductor Diodes Division
Varastossa
RFQ
TPC8.2AHM3/87A

TPC8.2AHM3/87A

Kuvaus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Kuvaus: TVS DIODE SMPC TO-277A

valmistajat: Vishay Semiconductor Diodes Division
Varastossa
RFQ
TPC8.2HM3/87A

TPC8.2HM3/87A

Kuvaus: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.