US1J/1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

US1J/1
Valmistaja / merkki

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Lyijytön tila / RoHS-tila

Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
lomakkeissa

1.US1J/1.pdf
2.US1J/1.pdf
Jännite - Peak Reverse (Max)

Standard
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos

1A
Jännite - Breakdown

DO-214AC (SMA)
Sarja

-
RoHS-tila

Tape & Reel (TR)
Käänteinen Recovery Time (TRR)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistance @ Jos F

-
Polarisaatio

DO-214AC, SMA
Muut nimet

Q1152372A
US1J
US1J-ND
US1J/1/T
Käyttölämpötila - liitäntä

75ns
Asennustyyppi

Surface Mount
Valmistajan osanumero

US1J/1
Laajennettu kuvaus

Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
diodikonfiguraatiolla

10µA @ 600V
Kuvaus

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr

1.7V @ 1A
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode)

600V
Kapasitanssi @ Vr, F

-65°C ~ 175°C

Seuraava on "US1J/1" -tuotteita.

US1GWF-7

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

RFQ

US1JFA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

RFQ

US1JHE3/61T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

US1J M2G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)

Varastossa

RFQ

US1JHE3/5AT

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

US1JHE3_A/H

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

US1JDF-13

Kuvaus: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

RFQ

US1J-TP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)

Varastossa

RFQ

US1J-13-F

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

RFQ

US1J-13

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

RFQ

US1JHM2G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)

Varastossa

RFQ

US1JDFQ-13

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

RFQ

US1J-E3/61T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

US1JE-TP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)

Varastossa

RFQ

US1JFL-TP

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)

Varastossa

RFQ

US1JHE3_A/I

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

US1J-E3/5AT

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

US1J-M3/61T

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

US1J-M3/5AT

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

US1J R3G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)

Varastossa

RFQ

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Ennakkorekisteröinti

US1J/1

Pyydä tarjous

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

US1GWF-7

US1JFA

US1JHE3/61T

US1J M2G

US1JHE3/5AT

US1JHE3_A/H

US1JDF-13

US1J-TP

US1J-13-F

US1J-13

US1JHM2G

US1JDFQ-13

US1J-E3/61T

US1JE-TP

US1JFL-TP

US1JHE3_A/I

US1J-E3/5AT

US1J-M3/61T

US1J-M3/5AT

US1J R3G

Valitse kieli

Nykyinen kieli