Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Integroituneet piirit (ICS) > Muisti > W987D6HBGX7E TR

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

155609

W987D6HBGX7E TR-kuva

Winbond Electronics Corporation

W987D6HBGX7E TR

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$2.394

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

W987D6HBGX7E TR
Valmistaja / merkki

Winbond Electronics Corporation
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

W987D6HBGX7E TR.pdf
ECAD -malli
Kirjoita työkiertoaika - sana, sivu

15ns
Jännite - Supply

1.7 V ~ 1.95 V
teknologia

SDRAM - Mobile LPSDR
Toimittaja Device Package

54-VFBGA (8x9)
Sarja

-
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

54-TFBGA
Muut nimet

W987D6HBGX7E TR-ND
W987D6HBGX7ETR
Käyttölämpötila

-25°C ~ 85°C (TC)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

3 (168 Hours)
muistin tyyppi

Volatile
muistin koko

128Mb (8M x 16)
Muistipiiri

Parallel
Muistimuoto

DRAM
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Yksityiskohtainen kuvaus

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
Kellotaajuus

133MHz
Access Time

5.4ns

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "W987D6HBGX7E TR" -tuotteita.

W987D6HBGX6I

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D2HBJX7E

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D6HBGX6E

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D6FBGX6I

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D6FBGX6E

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D2FBJX7E

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D6HBGX7E

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D2FBJX6I

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D2FBJX6E

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W987D2HBJX6I

Kuvaus: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Kuvaus: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

valmistajat: Winbond Electronics Corporation

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.