Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FDB14AN06LA0-F085

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

789034

FDB14AN06LA0-F085-kuva

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB14AN06LA0-F085

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$2.18

10+

$1.968

100+

$1.582

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

FDB14AN06LA0-F085
Valmistaja / merkki

AMI Semiconductor/onsemi
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

FDB14AN06LA0-F085.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

TO-263AB
Sarja

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @ Id, Vgs

11.6 mOhm @ 67A, 10V
Tehonkulutus (Max)

125W (Tc)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet

FDB14AN06LA0-F085CT
FDB14AN06LA0_F085CT
FDB14AN06LA0_F085CT-ND
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 5V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

60V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 60V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "FDB14AN06LA0-F085" -tuotteita.

FDB14N30TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB150N10

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB16AN08A0

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB20N50F

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB2532

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB088N08

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Kuvaus: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB088N08_F141

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB24AN06LA0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB120N10

Kuvaus: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB13AN06A0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB20AN06A0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB2532-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB110N15A

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB12N50TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB14AN06LA0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB10AN06A0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB12N50UTM_WS

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB12N50FTM-WS

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

FDB15N50

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.