Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > FDB16AN08A0
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3919590FDB16AN08A0-kuvaAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB16AN08A0

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
800+
$1.316
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    FDB16AN08A0
  • Valmistaja / merkki
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    FDB16AN08A0.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    D²PAK
  • Sarja
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 58A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    135W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muut nimet
    FDB16AN08A0-ND
    FDB16AN08A0TR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    6 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1857pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    75V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 75V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta), 58A (Tc)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "FDB16AN08A0" -tuotteita.
FDB15N50

FDB15N50

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB12N50TM

FDB12N50TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB2552

FDB2552

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB150N10

FDB150N10

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB120N10

FDB120N10

Kuvaus: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB14AN06LA0-F085

FDB14AN06LA0-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Kuvaus: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Kuvaus: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB2532

FDB2532

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB2572

FDB2572

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

valmistajat: Fairchild/ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Kuvaus: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FDB2570

FDB2570

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.