Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMG4407SSS-13

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3607110

DMG4407SSS-13-kuva

Diodes Incorporated

DMG4407SSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$0.245

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMG4407SSS-13
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMG4407SSS-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

8-SO
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 12A, 20V
Tehonkulutus (Max)

1.45W (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet

DMG4407SSS-13DI
DMG4407SSS-13DI-ND
DMG4407SSS-13DITR
Käyttölämpötila

-50°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2246pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 30V 9.9A (Ta) 1.45W (Ta) Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

9.9A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMG4407SSS-13" -tuotteita.

DMG4710SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4496SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3415U-7

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4413LSS-13

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3415UFY4-7

Kuvaus: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4466SSSL-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4466SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4468LFG

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3418L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3418L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4468LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3415UFY4Q-7

Kuvaus: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4468LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG3420U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4406LSS-13

Kuvaus: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMG4435SSS-13

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.