Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMG4413LSS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3617014DMG4413LSS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMG4413LSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.08
10+
$0.955
100+
$0.755
500+
$0.585
1000+
$0.462
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMG4413LSS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMG4413LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SOP
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    7.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.7W (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    DMG4413LSS-13DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    4965pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 5V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 30V 10.5A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMG4413LSS-13" -tuotteita.
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Kuvaus: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Kuvaus: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Kuvaus: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.