Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > DMN1003UCA6-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
7071718DMN1003UCA6-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN1003UCA6-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.03
10+
$0.913
100+
$0.721
500+
$0.56
1000+
$0.442
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN1003UCA6-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN1003UCA6-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.3V @ 1mA
  • Toimittaja Device Package
    X3-DSN3518-6
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Virta - Max
    2.67W
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    6-SMD, No Lead
  • Muut nimet
    DMN1003UCA6-7DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    3315pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56.5nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Standard
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    -
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2.67W Surface Mount X3-DSN3518-6
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    -

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN1003UCA6-7" -tuotteita.
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH30V SC-59

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1002UCA6-7

DMN1002UCA6-7

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH30V SC-59

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN100-7-F

DMN100-7-F

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.