Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN2011UFDE-7

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

6785671

DMN2011UFDE-7-kuva

Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.263

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMN2011UFDE-7
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMN2011UFDE-7.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

U-DFN2020-6 (Type E)
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Tehonkulutus (Max)

610mW (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

6-UDFN Exposed Pad
Muut nimet

DMN2011UFDE-7DITR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss)

20V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 20V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

11.7A (Ta)
Perusosan osanumero

DMN2011

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMN2011UFDE-7" -tuotteita.

DMN2009LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2014LHAB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2011UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2011UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2011UFX-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2005UFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2005LPK-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2008LFU-13

Kuvaus: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2005UPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2005UFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2011UFDE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2010UDZ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2013UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2005LP4K-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2015UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2008LFU-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.