Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > DMN2014LHAB-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
450869DMN2014LHAB-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN2014LHAB-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.20
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN2014LHAB-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN2014LHAB-7.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    U-DFN2030-6 (Type B)
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Virta - Max
    800mW
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    6-UFDFN Exposed Pad
  • Muut nimet
    DMN2014LHAB-7DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1550pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Logic Level Gate
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    9A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN2014LHAB-7" -tuotteita.
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.