Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > DMN2019UTS-13

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5018880

DMN2019UTS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$0.161

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMN2019UTS-13
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMN2019UTS-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA
Toimittaja Device Package

8-TSSOP
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 7A, 10V
Virta - Max

780mW
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Muut nimet

DMN2019UTS-13DITR
DMN2019UTS13
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

28 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V
FET tyyppi

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Ominaisuus

Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss)

20V
Yksityiskohtainen kuvaus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

5.4A
Perusosan osanumero

DMN2019

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMN2019UTS-13" -tuotteita.

DMN2020LSN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2026UVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2016LFG-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2022UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2013UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2020UFCL-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2027LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2016LHAB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2014LHAB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2022UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2026UVT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2015UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2022UNS-13

Kuvaus: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN2022UNS-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.