Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN2022UFDF-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3493238DMN2022UFDF-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN2022UFDF-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.142
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN2022UFDF-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN2022UFDF-7.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    6-UDFN2020 (2x2)
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    660mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    6-UDFN Exposed Pad
  • Muut nimet
    DMN2022UFDF-7DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    907pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 8V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 20V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    7.9A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN2022UFDF-7" -tuotteita.
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2027UPS-13

DMN2027UPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2028UFDF-13

DMN2028UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2027LK3-13

DMN2027LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Kuvaus: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.