Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN2320UFB4-7B
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
385149DMN2320UFB4-7B-kuvaDiodes Incorporated

DMN2320UFB4-7B

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
10000+
$0.171
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN2320UFB4-7B
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN2320UFB4-7B.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    X2-DFN1006-3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    320 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    520mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    3-XFDFN
  • Muut nimet
    DMN2320UFB4-7BDITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    16 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    71pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.89nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 20V 1A (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN2320UFB4-7B" -tuotteita.
DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 20V 2A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2215UDM-7

DMN2215UDM-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2230U-7

DMN2230U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2300U-7

DMN2300U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2250UFB-7B

DMN2250UFB-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2300UFB-7B

DMN2300UFB-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.