Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN24H3D5L-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4300864DMN24H3D5L-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN24H3D5L-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
10000+
$0.205
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN24H3D5L-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN24H3D5L-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-23
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 300mA, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    760mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muut nimet
    DMN24H3D5L-13DI
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    188pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.6nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    3.3V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    240V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 240V 480mA (Ta) 760mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    480mA (Ta)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN24H3D5L-13" -tuotteita.
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2320UFB4-7B

DMN2320UFB4-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2300UFL4-7

DMN2300UFL4-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.