Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN2501UFB4-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3988285DMN2501UFB4-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN2501UFB4-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.114
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN2501UFB4-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN2501UFB4-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    X2-DFN1006-3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    500mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    3-XFDFN
  • Muut nimet
    DMN2501UFB4-7DI
    DMN2501UFB4-7DI-ND
    DMN2501UFB4-7DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    16 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    82pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 20V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN2501UFB4-7" -tuotteita.
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.51A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.