Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3018SFG-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6559803DMN3018SFG-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN3018SFG-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.142
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN3018SFG-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN3018SFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerDI3333-8
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 10A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-PowerWDFN
  • Muut nimet
    DMN3018SFG-13DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    697pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 8.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN3018SFG-13" -tuotteita.
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Kuvaus: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.