Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3016LFDE-7

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

6320808

DMN3016LFDE-7-kuva

Diodes Incorporated

DMN3016LFDE-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.134

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMN3016LFDE-7
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMN3016LFDE-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

U-DFN2020-6 (Type E)
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V
Tehonkulutus (Max)

730mW (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

6-UDFN Exposed Pad
Muut nimet

DMN3016LFDE-7DI
DMN3016LFDE-7DI-ND
DMN3016LFDE-7DITR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMN3016LFDE-7" -tuotteita.

DMN3018SFGQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LDN-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3015LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3018SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3018SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3018SFGQ-7

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3010LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LFDE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3018SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3010LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.