Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > DMN3012LFG-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
849396

DMN3012LFG-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.776
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN3012LFG-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN3012LFG-13.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    PowerDI3333-8
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
  • Virta - Max
    2.2W
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-PowerLDFN
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Standard
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 2.2W Surface Mount PowerDI3333-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN3012LFG-13" -tuotteita.
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Kuvaus: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.