Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3010LSS-13

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2666072

DMN3010LSS-13-kuva

Diodes Incorporated

DMN3010LSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$0.33

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMN3010LSS-13
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMN3010LSS-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

8-SOP
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 16A, 10V
Tehonkulutus (Max)

2.5W (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

24 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

2096pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43.7nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

16A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMN3010LSS-13" -tuotteita.

DMN3009SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3010LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3009SFGQ-13

Kuvaus: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3009SFGQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3010LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LDN-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3009SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3009LFVW-13

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3009LFVW-7

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3015LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3009SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LFDE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3010LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3016LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.