Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3030LSS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4526518DMN3030LSS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN3030LSS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.187
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN3030LSS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN3030LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SOP
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 9A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.5W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    DMN3030LSS-13-ND
    DMN3030LSS-13DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    741pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN3030LSS-13" -tuotteita.
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3030LFG-7

DMN3030LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3026LVTQ-13

DMN3026LVTQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3029LFG-7

DMN3029LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3027LFG-7

DMN3027LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3032LFDB-13

DMN3032LFDB-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LFV-13

DMN3025LFV-13

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 25V 30V POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3031LSS-13

DMN3031LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3033LDM-7

DMN3033LDM-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3026LVTQ-7

DMN3026LVTQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Kuvaus: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13

Kuvaus: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Kuvaus: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.