Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3032LE-13

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5560210

DMN3032LE-13-kuva

Diodes Incorporated

DMN3032LE-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$0.223

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMN3032LE-13
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMN3032LE-13.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

SOT-223
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 3.2A, 10V
Tehonkulutus (Max)

1.8W (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-261-4, TO-261AA
Muut nimet

DMN3032LE-13DITR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

498pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

5.6A (Ta)
Perusosan osanumero

DMN3032

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMN3032LE-13" -tuotteita.

DMN3032LFDB-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3033LSNQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3033LSNQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3033LDM-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3032LFDBQ-13

DMN3032LFDBQ-13

Kuvaus: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3029LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3030LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3025LSS-13

Kuvaus: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3027LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3033LSDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3032LFDB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3026LVTQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3031LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3033LSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3032LFDBQ-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3030LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3033LSN-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3027LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMN3026LVTQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.