Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > DMN3190LDW-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4526767DMN3190LDW-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN3190LDW-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.59
10+
$0.426
100+
$0.251
500+
$0.142
1000+
$0.109
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN3190LDW-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN3190LDW-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    SOT-363
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 1.3A, 10V
  • Virta - Max
    320mW
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muut nimet
    DMN3190LDW-13DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Logic Level Gate
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    1A

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN3190LDW-13" -tuotteita.
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.