Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3200U-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4199760DMN3200U-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN3200U-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.59
10+
$0.497
100+
$0.373
500+
$0.274
1000+
$0.211
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN3200U-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN3200U-7.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-23-3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    650mW (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muut nimet
    DMN3200U-7DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    2.2A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN3200U-7" -tuotteita.
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.