Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > DMN33D8LDW-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1935697DMN33D8LDW-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN33D8LDW-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
10000+
$0.067
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN33D8LDW-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN33D8LDW-13.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Toimittaja Device Package
    SOT-363
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Virta - Max
    350mW
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    24 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    48pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.23nC @ 10V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Standard
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    250mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN33D8LDW-13" -tuotteita.
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.