Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN3730UFB-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2070644DMN3730UFB-7-kuvaDiodes Incorporated

DMN3730UFB-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.178
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN3730UFB-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN3730UFB-7.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    3-DFN
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    470mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    3-UFDFN
  • Muut nimet
    DMN3730UFB-7TR
    DMN3730UFB7
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    26 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    64.3pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.6nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-DFN
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    750mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN3730UFB-7" -tuotteita.
DMN4015LK3-13

DMN4015LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4020LFDE-13

DMN4020LFDE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.115A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4020LFDE-7

DMN4020LFDE-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN4010LFG-7

DMN4010LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.