Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN6070SY-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5209290

DMN6070SY-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.142
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN6070SY-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN6070SY-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-89-3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    85 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.1W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-243AA
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    588pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.3nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 4.1A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount SOT-89-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    4.1A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN6070SY-13" -tuotteita.
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6068SE-13

DMN6068SE-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SE-13

DMN6069SE-13

Kuvaus: MOSFETN-CH 60VSOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 6A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6068LK3Q-13

DMN6068LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.