Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN60H080DS-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4425291DMN60H080DS-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN60H080DS-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
10000+
$0.081
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN60H080DS-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN60H080DS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-23-3
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    100 Ohm @ 60mA, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.1W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    600V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    80mA (Ta)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN60H080DS-13" -tuotteita.
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SE-13

DMN6069SE-13

Kuvaus: MOSFETN-CH 60VSOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6069SFG-13

DMN6069SFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.