Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN67D8L-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3744050DMN67D8L-13-kuvaDiodes Incorporated

DMN67D8L-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
10000+
$0.033
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN67D8L-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN67D8L-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-23
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    340mW (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    12 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.82nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 210mA (Ta) 340mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    210mA (Ta)

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN67D8L-13" -tuotteita.
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Kuvaus: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.